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120V SGT工艺N-Channel MOSFET
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 新产品宣告

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产品介绍 1.选取k豆钱包科技SGT特殊工艺造程 ，凭据电机驱动和电源利用要求 ，优化导通内阻（Rdson)和 栅极电荷（Qg)机能 ，降低导通损耗和开关损耗 ，提升系统效能；
2.解决高快Gan电源利用时di/dt大带来的副边电压尖峰高的问题 ，提升产品整体的靠得住性 。
产品特点 1.选取k豆钱包科技SGT特殊工艺造程设计 ，拥有更高的工艺不变性和靠得住性；
2.系列产品拥有更快的开关快率 ，更幼的栅电荷和更高的利用效能；
3.选取PDFN5060封装 ，更好的热阻个性 。
规格书

YJG88G12A

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