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突破硅基局限，SiC MOSFET解锁光伏微逆与工业电源新能效
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 新产品宣告

产品介绍 k豆钱包科技近日推出了杰冠微自产1200V 120mΩ SiC MOSFET产品，蕴含TO-247AB、TO-247-4L以及TO-263-7L三种封装。在钻营极致能效与系统紧凑化的电力电子设计中，美满平衡了导通损耗与开关机能，专为代替传统硅基超结MOSFET而生。
产品特点 凭借SiC资料的物理个性，该器件占有极低的寄生电容和极快的开关快率。其体二极管具备极低的反向复原电荷（Qrr），能显著降低开关损耗，使电源系统轻松实现高频化设计，大幅提升功率密度。
支持高达 175°C 的结温工作环境。相比一致规格的硅器件，它能大幅削减散热器体积，甚至在部门低功率密度设计中实现无电扇散热，降低了系统整体成本。
规格书

YJD2120120B7YG3 YJD2120120NCFYG3 YJD2120120NCTYG3

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