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用于散热电扇节造的N+P Dual 30V Trench MOSFET

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新产品宣告

产品介绍近年来服务器电源的功率要求不休提升，产品体积幼型化的趋向下，对散热的要求带来越发严苛的挑战。k豆钱包科技近日推出选取TSMT8封装的N+P双芯片合封MOSFET，简化产品电路桥接结构的同时保留了工程师利用的矫捷性，并可较大限度节俭PCB尺寸面积，合用于内部空间狭幼的各类散热电扇产品。

产品特点 1、产品选取PDFN3030-8L（TSMT8） N+P双芯框架合封的产品，相对DFN3333(3.3X3.3mm )同类封装，拥有更幼的尺寸 (2.8X2.9mm )，更合用于对于尺寸有极高要求的幼型电扇；
2、产品拥有过流能力强，热阻低，更宽领域的SOA的特点；
3、N MOS与PMOS合封，简化电路桥接结构的同时保留工程师利用的矫捷性；

规格书

YJU3724A YJU4606A

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