Æû³µ
ÕûÁ÷Æ÷¼þ
±£»¤Æ÷¼þ
Ó×ÐźÅ
MOSFET
SiC
IGBT
Ä£¿é
ƽ°åÐÍ·ÖÁ¢Æ÷¼þ
8´ç¾§Ô²
¼¯³Éµç·չλºÅ£º9 - 508
¹¦·ò£º2026Äê6ÔÂ9-11ÈÕ
µØÖ·£ºµÂ¹úŦÂ×±¤
2000Äê
¹«Ë¾³ÉÁ¢ÓÚ2000Äê200λ
2024ÖйúÔì×÷ÒµÉÏÊй«Ë¾¼ÛÖµ500Ç¿6000ÈË
Õ¼ÓÐÔ±¹¤6000ÃûÒÔÉÏ2014Äê
2014Äê1ÔÂ23ÈÕÔÚÉî½»ËùÉÏÊÐ3Ç¿
2024ÄêÖйú°ëµ¼Ì幦ÂÊÆ÷¼þǰÈýÇ¿ÆóÒµ300000©O
k¶¹Ç®°ü¹¤³§Ãæ»ý56.03
¨‹RMB
¹«Ë¾¸Å¿ö
¶¨ÆÚ»ã±¨
¹ÉƱÐÐÇé
GDR OFFERING